Lloji i Aplikimit
EPO patents
Nënlloji i Aplikimit
EPO Patent
(10) Numri dhe Data e Regjistrimit
8573
2019.11.08
Status
Regjistruar
(180) Data e mbarimit të afatit
2031.08.03
(20) Numri dhe Data e Depozitimit
AL/P/2019/588
2019.08.19
(40) Numri dhe Data e Publikimit
2019.11.19
(86) Data dhe Numri Ndërkombëtar i Depozitimit
11784576.8
2011.08.03
Status
Regjistruar
Data dhe Numri Ndërkombëtar i Publikimit
EP2668717
2019.05.22
(30) Detajet e Prioritetit
| Kodi | ID e prioritetit |
|---|---|
| CZ | 20110042 |
(51) Klasat e KNP-së (IPC)
(SQ) 02; 01; 01
(71/73) Aplikanti
| Aplikanti | Adresa |
|---|---|
| Vysoké ucení Technické v Brne | Antonínská 548/1 |
(72) Shpikës
| Emri | Adresa |
|---|---|
| PAVEL, Fiala | Hlavácova 55 , 61400 Brno , CZ |
(74) Emri i Përfaqësuesit
| Emri | Adresa |
|---|---|
| Pajtim Gjergjizi | Rr.Reshit Çollaku, Pall. Shallvare, Shk.5,Ap70/4 Tiranë , AL |
| Pajtim Gjergjizi | Rr.Reshit Çollaku, Pall. Shallvare, Shk.5,Ap70/4 Tiranë , AL |
(54) Titull
ELEMENT FOTOVOLTAIK ME NJE REZONATOR ME FIKJE ELEKTROMAGNETIKE
(57) Abstrakt
(58) Pretendime
| Pretendim | Përshkrim |
|---|---|
| 1 | 1. Element fotovoltaik që përfshin të paktën një rezonues 2D-3D (4) dhe një elektrodë reference (11), ku rezonuesi 2D-3D në fjalë (4) vendoset mbi një strukturë mbi një gjysmëpërcues (5) dhe është formuar nga dy pjesë, prej të cilave pjesa e parë është një pjesë 2D e përbërë nga një element transformimi (8) të vendosur mbi një rrafsh incidence (3) dhe që përbëhet nga një palë elektrodash në formën e një cifti përcuesash dhe pjesa e dytë është një pjesë 3D e vendosur brenda strukturës gjysmëpërcuese (5) dhe përmban dielektrik (10), ku elementi i transformimit (8) të pjesës 2D vendoset në dielektrikun (10) e pjesës 3D, karakterizuar në atë që struktura gjysmëpërcuese (5) është formuar nga zona pa lagështirë elektromagnetike (5a), ku rrafshi i sipërm përbëhet nga rrafsh incidence (3), dhe zona me lagështirë elektromagnetike (5b), zona pa lagështirë elektromagnetike (5a) dhe zona me lagështirë elektromagnetike (5b) që është e lidhur nga kufij virtualë (6) të variacioneve në veti materiale dhe që ndahet prej saj zona me lagështirë elektromagnetike (5b), në kontrast me zonën pa lagështirë elektromagnetike (5a), tregon rritjen e përcimit gamma në S/m në drejtim të elektrodës referencë (11), ku pjesa 3D e rezonuesit 2D-3D (4) është përbërë nga dielektrik (10) dhe reflektor (7) të përputhur me dhe të rrethuar nga dielektrik (10), ku dielektriku (10) dhe reflektori (7) janë vendosur të dyja brenda zonës pa lagështirë elektromagnetike (5a) dhe brenda zonës me lagështirë elektromagnetike (5b) të strukturës gjysmëpërcuese (5), dhe elektroda e referencës (11) kufij mbi zonën me lagështirë elektromagnetike (5b) dhe është lokalizuar poshtë zonës me lagështirë elektromagnetike (5b), dielektrike (10) dhe reflektori (7). |
| 2 | 2. Elementi fotovoltaik që përmban një rezonues sipas pretendimit 1, karakterizuar në atë që reflektori (7) është vendosur pingul me rrafshin e incidencës (3). |